PSMN8R7-80BS,118 与 IPB083N10N3 G 区别
| 型号 | PSMN8R7-80BS,118 | IPB083N10N3 G | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3n-PSMN8R7-80BS,118 | A-IPB083N10N3 G | ||||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 170W | 125W | ||||
| 宽度 | - | 9.25mm | ||||
| 上升时间 | - | 42ns | ||||
| 漏源极电压Vds | 80V | 100V | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 55nC | ||||
| 输出电容 | 296pF | - | ||||
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 45S | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 31ns | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT404 | TO-263-3 | ||||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 90A | 80A | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 系列 | - | OptiMOS3 | ||||
| 输入电容 | 3346pF | - | ||||
| 长度 | - | 10mm | ||||
| 下降时间 | - | 8ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 18ns | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 8.7mΩ@10V | 8.3mΩ@73A,10V | ||||
| 高度 | - | 4.4mm | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PSMN8R7-80BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 8.7mΩ@10V 170W 175°C 3V 80V 90A |
￥6.5182
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0 | 当前型号 | ||||||||||
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AOB288L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 8.9mΩ@20A,10V |
￥6.0816
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700 | 对比 | ||||||||||
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STB75NF75LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRF2807ZSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9.4mΩ@53A,10V N-Channel 75V 89A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPB083N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 80A 8.3mΩ@73A,10V ±20V 125W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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STB75NF75LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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